MT53E128M32D2DS-053 vs MT53E256M32D2DS-053 WT:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E128M32D2DS-053 par Micron Technology et MT53E256M32D2DS-053 WT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E128M32D2DS-053 - 4Gb LPDDR4/LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E128M32D2DS-053 ✓ ActifMicron Technology
MT53E256M32D2DS-053 - 8Gb LPDDR4 DRAM 1.866GHz | Micron
MT53E256M32D2DS-053 WT:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E128M32D2DS-053 | MT53E256M32D2DS-053 WT:B |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,55 | $21,90 |
| Type de mémoire | Mobile LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM (unified) | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | 8 Gbit (256M x 32) |
| Organisation de la mémoire | 128M x 32 | 256M x 32 |
| Débit de données | 1.866 GHz (1866 Mbps/pin) | 1866 Mbps/pin (1.866 GHz) |
| Speed Grade | -053 | — |
| Boîtier | 200-ball WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-ball WFBGA, 10 x 14.5 mm |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | 0.6 V | — |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | 1.10 V | — |
| VDD | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Configuration | DDP (double-die package) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Automotive Variant | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A / AAT:A / AIT:A available | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB/LCSC listing) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode 8x/16x] | — |
| Access Type | Synchronous, bank-group burst | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Supply Voltage (VDD2/VDDQ) | — | 1.1 V |
| Operating Temperature (WT grade) | — | -30C to +85C |
| Self-Refresh | — | Auto self-refresh with built-in temperature sensor |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, write leveling, ZQ calibration |
| Bus Width | — | 32-bit |
| Peak Bandwidth (per device) | — | approximately 7.46 GB/s (32-bit x 1866 Mbps) |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CL at 1866 Mbps] |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: tREFI specification] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: max package height] |